TSMC最近宣布，将评估在美国建设第二家晶圆厂的投资，并计划切入3 nm工艺。建设时间大概在2年后。对此，TSMC在8月19日表示，不会回应市场传言。

此前，TSMC位于美国亚利桑那州的5 nm新工厂已于7月底投产。预计2024年第一期量产，第一期月产量2万片。

然而，由于TSMC亚利桑那州工厂占地约445公顷，土地面积广阔，此前曾多次报道TSMC将扩大在亚利桑那州的投资计划，预计将建设6座晶圆厂。

TSMC总裁魏哲佳去年也表示，TSMC已经在亚利桑那州获得了大片土地，以保持其灵活性，并有可能进一步扩张。但首要任务是让一期工厂成功量产，然后根据运营效率、成本效益、客户需求决定下一步计划。

据了解，TSMC的3nm工艺仍将采用FinFET晶体管的结构，而三星的3nm节点则采用GAA晶体管架构。三星甚至领先于TSMC，将3纳米工艺技术转化为大规模生产。

消息人士指出，AMD、苹果、博通、英特尔、联发科、英伟达和高通都向TSMC订购了3纳米芯片。然而，三星的3nm GAA工艺尚未吸引各大芯片供应商的订单。